中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提高半导体结构的性能_资讯

中芯国际申请半导体结构的形成方法专利，提高半导体结构的性能

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2026-03-22 03:20:34

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国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构的形成方法”的专利，公开号CN121712322A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构的形成方法，包括：在衬底顶部形成鳍部，在鳍部的延伸方向上对鳍部进行鳍切处理，形成开口，之后在开口侧壁形成保护层，形成保护层后，在鳍部露出衬底上形成隔离层，隔离层的顶部低于鳍部的顶部，且覆盖鳍部的部分侧壁。由于在鳍部切断处的开口侧壁形成保护层，因此，在后续形成隔离层的制程中，保护层能够起到保护开口侧壁的作用，即保护层能够保护鳍部的切断处，从而降低鳍部在切断处的损耗，相应提高鳍部的质量和性能，从而提高半导体结构的性能，例如，通过降低在开口中形成隔离层的制程中对鳍部在切断处的损耗，在后续形成源漏掺杂层的过程中，则降低鳍部在切断处出现倒塌问题的概率，进而改善后续形成源漏掺杂层的形貌。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目116次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法投资中芯国际隔离导体集成电路结构专利半导体鳍部中芯杂层隔离层

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