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硒祐微电子取得多晶合封封装结构专利，提高电路集成度

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2026-03-21 02:12:16

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国家知识产权局信息显示，硒祐微电子（杭州）有限公司取得一项名为“一种多晶合封封装结构”的专利，授权公告号CN224022246U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型公开了一种多晶合封封装结构，包括基岛、引脚、RCD二极管、主功率管芯片和主控芯片，RCD二极管、主功率管芯片和主控芯片封装于基岛内；基岛包括第一基岛、第二基岛和第三基岛；主功率管芯片设于第一基岛上，主功率管芯片与第一基岛通过导电胶连接；主控芯片设于第二基岛上，主控芯片与第二基岛通过导电胶连接；引脚包括RCD引脚和CS引脚，RCD引脚设于第三基岛上，CS引脚设于第二基岛上。本实用新型结构设计新颖，将主功率管芯片和主控芯片封装于一体，提高电路集成度，减少外部器件数量，简化电路布局，减少占用空间，降低系统生产成本，且芯片与对应基岛之间通过导电胶连接，保证了良好的导电性能，还有助于散热。

天眼查资料显示，硒祐微电子（杭州）有限公司，成立于2024年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本100万人民币。通过天眼查大数据分析，硒祐微电子（杭州）有限公司专利信息9条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示投资主控芯片微电子包括杭州结构集成度专利主功率基岛导电胶

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