国家知识产权局信息显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司;中芯国际集成电路制造（上海）有限公司申请一项名为“半导体结构、形成方法、器件及电子装置”的专利，公开号CN121692721A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，尤其涉及一种半导体结构、形成方法、器件及电子装置。半导体结构包括：基底结构，包括第一区域和第二区域，第一区域环绕第二区域设置；基底结构中形成有高压埋层；器件结构，器件结构形成在第二区域上；隔离环，隔离环形成在第一区域中且环绕第二区域设置；隔离环包括至少一组第一隔离环；每组第一隔离环包括间隔设置的第一阱区和第二阱区；第一阱区和第二阱区的底部均与高压埋层接触；第一阱区为第一掺杂类型，第二阱区为第二掺杂类型。不同掺杂类型的阱区之间会形成PN结，在出现闩锁效应时，衬底结构中的载流子不能穿过隔离环，避免产生衬底电流，从而提升器件性能。

天眼查资料显示，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司，成立于2003年，位于天津市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本129000万。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（天津）有限公司参与招投标项目106次，专利信息408条，此外企业还拥有行政许可293个。

中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，成立于2000年，位于上海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本244000万美元。通过天眼查大数据分析，中芯国际集成电路制造（上海）有限公司共对外投资了4家企业，参与招投标项目116次，财产线索方面有商标信息153条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可447个。

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来源：市场资讯