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天狼芯半导体申请金属氧化物半导体场效应管专利，可实现沟道和阱区的独立优化

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2026-03-19 02:42:27

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国家知识产权局信息显示，深圳天狼芯半导体有限公司申请一项名为“金属氧化物半导体场效应管”的专利，公开号CN121692706A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及一种金属氧化物半导体场效应管，包括：衬底；阱区，具有第二导电类型，位于衬底内；沟槽源极，覆盖阱区在第一方向上的至少部分上表面；第一掺杂区，具有第一导电类型，位于沟槽源极在第二方向上的一侧；第二方向与第一方向相交；半导体层，位于第一掺杂区远离沟槽源极的一侧；沟槽栅极，从半导体层在第一方向上远离衬底的一侧，延伸至半导体层在第二方向上远离第一掺杂区的一侧；连接结构，连接沟槽源极和半导体层。其中，半导体层与阱区分开设置，可实现沟道和阱区的独立优化，即可通过单独调节阱区的掺杂浓度，提高器件耐压，通过单独调节半导体层的掺杂浓度，调控沟道迁移率和器件的阈值电压，从而降低器件的比导通电阻。

天眼查资料显示，深圳天狼芯半导体有限公司，成立于2020年，位于深圳市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本701.31107万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳天狼芯半导体有限公司共对外投资了5家企业，财产线索方面有商标信息4条，专利信息212条，此外企业还拥有行政许可14个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示独立投资沟槽器件方向导体专利深圳掺杂区沟道衬底阱区

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