爱思开海力士取得页缓冲器及包括页缓冲器的半导体存储器装置专利_资讯

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2026-03-18 20:13:21

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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“页缓冲器及包括页缓冲器的半导体存储器装置”的专利，授权公告号CN114067865B，申请日期为2021年3月。

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来源：市场资讯

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