南亚科技申请半导体装置与其形成方法专利，电容值得以降低
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2026-03-17 17:08:23
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“半导体装置与其形成方法”的专利，公开号CN121666054A，申请日期为2024年10月。
专利摘要显示，一种半导体装置，包含基板、主动栅极结构、虚设栅极结构，以及储存节点。基板包含主动区以及围绕主动区的隔离结构，其中隔离结构为双层结构，且隔离结构的平均介电常数为小于3.9。主动栅极结构设置于主动区中，虚设栅极结构设置于隔离结构中。储存节点设置在主动栅极结构与虚设栅极结构之间。一种形成半导体装置的方法亦在此揭露。隔离结构为直接插入虚设栅极结构跟储存节点之间，且隔离结构的平均介电常数小于3.9，因此，在虚设栅极结构跟储存节点之间的电容值得以降低，GIDL也因而被改善。
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