爱思开海力士取得包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法专利_资讯

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2026-03-17 16:43:41

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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司取得一项名为“包括多个存储块的半导体存储器装置及其制造方法”的专利，授权公告号CN114188343B，申请日期为2021年4月。

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来源：市场资讯

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