澳柯玛云联申请半导体器件及其制备方法专利,提高击穿电压
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2026-03-16 19:13:57
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国家知识产权局信息显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司申请一项名为“半导体器件及其制备方法”的专利,公开号CN121665669A,申请日期为2024年8月。

专利摘要显示,本发明提供了一种半导体器件及其制备方法,第一凹槽和第二凹槽从衬底的表面延伸至衬底内,并分别位于衬底的外围电路区和核心电路区中;未掺杂外延缓冲层覆盖第一凹槽的内壁;第一嵌入式外延层和第二嵌入式外延层分别填充第一凹槽和第二凹槽;第一栅极结构位于相邻的两个第一凹槽之间的衬底上,第二栅极结构位于相邻的两个第二凹槽之间的衬底上。未掺杂外延缓冲层可以增加第一嵌入式外延层与第一栅极结构之间的有效距离,提高击穿电压,同时第一凹槽和第一嵌入式外延层与第二凹槽和第二嵌入式外延层分开制作,改善因第一凹槽和第二凹槽大小不一致而带来的第一嵌入式外延层和第二嵌入式外延层的生长高度不一致的问题。

天眼查资料显示,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司,成立于2020年,位于青岛市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50000万人民币。通过天眼查大数据分析,青岛澳柯玛云联信息技术有限公司共对外投资了5家企业,专利信息116条,此外企业还拥有行政许可4个。

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来源:市场资讯

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