杭州镓仁半导体申请新型氧化物异质结生产方法专利，大大提升氧化镓器件性能_资讯

杭州镓仁半导体申请新型氧化物异质结生产方法专利，大大提升氧化镓器件性能

创始人

2026-03-16 19:08:42

0次

国家知识产权局信息显示，杭州镓仁半导体有限公司申请一项名为“新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件”的专利，公开号CN121665641A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体制造领域，特别是涉及一种新型氧化物异质结的生产方法、新型晶体管及透明器件，通过准备衬底；在所述衬底上生长铟镓氧外延层；在所述铟镓氧外延层上生长铝镓氧外延层，使所述铟镓氧外延层与所述铝镓氧外延层的界面处形成二维电子气，形成铟镓氧/铝镓氧异质结。本发明利用铟镓氧/铝镓氧异质结替代了传统的硅基体掺杂，从而在异质结的界面处制备出二维电子气，在不引入电离杂质散射中心的前提下实现了较高的载流子浓度，制备出兼具高载流子浓度和高迁移率的氧化镓基导电层，大大提升了氧化镓器件的性能，且极大拓宽了氧化镓器件的应用场景。

天眼查资料显示，杭州镓仁半导体有限公司，成立于2022年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本176.9409万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州镓仁半导体有限公司参与招投标项目13次，财产线索方面有商标信息2条，专利信息56条，此外企业还拥有行政许可3个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

方法显示投资器件半导体生产铟镓氧化物杭州专利氧化镓二维电子气异质

上一篇：半导体或掀又一轮涨价潮：原材料压力传导成熟制程产能最快下月调价

下一篇：西部超导：3月13日融资买入1.31亿元，融资融券余额20.99亿元

杭州镓仁半导体申请新型氧化物异质结生产方法专利，大大提升氧化镓器件性能

相关内容

热门资讯