新紫光半导体申请制备多晶硅电阻方法专利，制备出的多晶硅电阻的失配程度较低
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2026-03-16 17:52:13
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国家知识产权局信息显示，成都新紫光半导体科技有限公司申请一项名为“制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻”的专利，公开号CN121665589A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本公开涉及制备多晶硅电阻的方法和制备出的多晶硅电阻，该方法包括以下步骤：S1、在衬底上形成多晶硅层；S2、对所述多晶硅层进行第一离子注入，注入离子为硼，得到第一离子注入的多晶硅层；S3、对所述第一离子注入的多晶硅层进行第二离子注入，注入离子为氮；S4、将经过所述第一离子注入和所述第二离子注入的多晶硅层进行退火处理。采用本公开的方法制备出的多晶硅电阻的失配程度较低。
天眼查资料显示，成都新紫光半导体科技有限公司，成立于2022年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本25000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都新紫光半导体科技有限公司专利信息66条。
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来源：市场资讯
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