芯盟科技申请半导体结构及其形成方法、存储阵列专利，增加结构的稳定性_资讯

芯盟科技申请半导体结构及其形成方法、存储阵列专利，增加结构的稳定性

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2026-03-14 23:33:17

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国家知识产权局信息显示，芯盟科技有限公司申请一项名为“半导体结构及其形成方法、存储阵列”的专利，公开号CN121665547A，申请日期为2024年9月。

专利摘要显示，一种半导体结构及其形成方法、存储阵列，其中方法包括：提供衬底；在第一表面上形成第一光刻胶层；对第一光刻胶层进行曝光显影，形成具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层；以具有垂直晶体管图案的第一光刻胶层为掩膜，沿第一表面对部分有源区和部分隔离区进行刻蚀，形成垂直晶体管及位于所述垂直晶体管底部的位线，且相邻垂直晶体管之间为第一沟槽；向第一沟槽内填充第一层间介质层；采用具有选择刻蚀比的干法刻蚀工艺，刻蚀去除垂直晶体管以及位于垂直晶体管侧壁表面的隔离区，形成第二沟槽；向第二沟槽内填充第一垂直晶体管。通过刻蚀去除垂直晶体管和位于垂直晶体管侧壁的隔离区形成沟槽，且在沟槽内形成第一垂直晶体管，使得第一垂直晶体管的宽度增加，增加第一垂直晶体管的支撑性能，增加结构的稳定性。

天眼查资料显示，芯盟科技有限公司，成立于2018年，位于嘉兴市，是一家以从事专业技术服务业为主的企业。企业注册资本22534.2876万人民币。通过天眼查大数据分析，芯盟科技有限公司共对外投资了6家企业，财产线索方面有商标信息35条，专利信息278条，此外企业还拥有行政许可7个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业显示科技投资沟槽表面导体晶体管结构专利有源区胶层隔离区

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