格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，提升MOS器件可靠性_资讯

格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，提升MOS器件可靠性

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2026-03-14 02:05:41

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国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“MOS器件和MOS器件的制备方法”的专利，公开号CN121645955A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请提供了一种MOS器件和MOS器件的制备方法，MOS器件包括衬底、外延层、JFET区、栅极结构、源极结构以及漏极结构，外延层位于衬底的一侧；JFET区位于外延层内；栅极结构位于JFET区远离衬底的一侧，栅极结构在衬底上的正投影和JFET区在衬底上的正投影至少部分交叠，栅极结构包括栅氧化层、第一介质层以及栅极层，第一介质层包括中间部和位于中间部外周的外周部，至少部分中间部的介电常数小于外周部的介电常数；源极结构，位于外延层远离衬底的一侧；漏极结构，位于衬底远离外延层的一侧。该MOS器件解决了如何提升MOS器件可靠性的技术问题。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可107个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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