格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，有助于提高器件的击穿电压_资讯

格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，有助于提高器件的击穿电压

创始人

2026-03-14 02:03:00

0次

国家知识产权局信息显示，珠海格力电子元器件有限公司申请一项名为“MOS器件及其制备方法”的专利，公开号CN121665619A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，提供了一种MOS器件及其制备方法，其中，MOS器件包括：有源区、环绕有源区的分压区和环绕分压区的截止区；其中截止区包括间隔设置的多个截止环，每个截止环包括沟槽和位于沟槽的底部的注入区；多个截止环中的任意两个截止环中，更靠近分压区一侧的沟槽的深度大于更远离分压区一侧的沟槽的深度，更靠近分压区一侧的注入区的深度大于更远离分压区一侧的注入区的深度。该MOS器件还包括介电层，介电层至少覆盖沟槽的侧表面和底面。梯度分布的截止环设计能够更平滑地过渡电场分布，使得整个器件边缘终端区域的电场均匀化，有助于提高器件的击穿电压，从而提升器件在高压工作条件下的稳定性和可靠性。

天眼查资料显示，珠海格力电子元器件有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本10000万人民币。通过天眼查大数据分析，珠海格力电子元器件有限公司参与招投标项目31次，专利信息233条，此外企业还拥有行政许可107个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资格力沟槽器件电压珠海专利有源区分压区介电层

上一篇：碳化硅外延片研发新前沿：通过掺杂调控电荷环境稳定量子色心

下一篇：正泰智能申请电流保护测试方法及系统专利，提高了电流保护测试的准确率和效率

格力电子申请MOS器件及其制备方法专利，有助于提高器件的击穿电压

相关内容

热门资讯