长江存储申请半导体器件及其制造方法、存储器系统专利，提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统
创始人
2026-03-13 01:16:39
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国家知识产权局信息显示，长江存储科技有限责任公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、存储器系统”的专利，公开号CN121645877A，申请日期为2024年9月。
专利摘要显示，本申请实施例提供了一种半导体器件及其制造方法、存储器系统。该半导体器件包括第一堆叠结构、第一绝缘结构以及选择栅切线结构。第一堆叠结构包括交替设置的介电层和栅极层，栅极层包括第一栅极层和位于第一栅极层一侧的第二栅极层；第一绝缘结构穿过第一栅极层；选择栅切线结构穿过第一栅极层，并沿第一方向延伸至第一绝缘结构。
天眼查资料显示，长江存储科技有限责任公司，成立于2016年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本12469608.0404万人民币。通过天眼查大数据分析，长江存储科技有限责任公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目1430次，财产线索方面有商标信息976条，专利信息5000条，此外企业还拥有行政许可1005个。
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