铠侠申请半导体装置专利，抑制产生缺陷_资讯

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2026-03-12 23:55:16

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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利，公开号CN121646345A，申请日期为2025年2月。

专利摘要显示，本发明提供一种能够抑制产生缺陷的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：布线层，包含多个布线；及柱状电极，与所述布线一体设置，从所述布线的底部在与所述布线层大致垂直的方向上延伸；且所述布线具有在与所述布线层大致垂直的方向上交替积层的导电膜及与所述导电膜不同的第1膜。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

显示电极缺陷市场投资装置方向上导体专利的底部半导体布线层布线导电膜

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