精微科技申请垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法专利，提高光转换效率_资讯

精微科技申请垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法专利，提高光转换效率

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2026-03-12 23:54:35

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国家知识产权局信息显示，武汉市精微科技有限公司申请一项名为“垂直结构Micro-LED芯片及其制备方法”的专利，公开号CN121646067A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本申请提供了一种垂直结构Micro‑LED芯片及其制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该垂直结构Micro‑LED芯片包括导电衬底、金属键合层、外延结构、量子点结构和钝化层，导电衬底、金属键合层和外延结构依次层叠，外延结构包括沿远离金属键合层的方向依次层叠的第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层，且具有贯穿第一半导体层、多量子阱层和第二半导体层的通孔；量子点结构填充设置于通孔中且与金属键合层接触；钝化层设置于通孔的侧壁且位于量子点结构与外延结构之间。本申请能够降低光传输损耗，提高光转换效率，提高芯片的散热性能的和可靠性。

天眼查资料显示，武汉市精微科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本50万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉市精微科技有限公司专利信息7条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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