达发科技申请源极跟随器电路专利，自偏压二极管连接的金属氧化物半导体晶体管
创始人
2026-03-11 19:36:58
0次
国家知识产权局信息显示，达发科技股份有限公司申请一项名为“源极跟随器电路以及翻转源极跟随器电路”的专利，公开号CN121635602A，申请日期为2024年11月。
专利摘要显示，本发明提供一种源极跟随器电路，包含第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及反馈回路电路。关于该第一MOS晶体管，栅极用以接收该源极跟随器电路之输入信号，以及源极用以输出该源极跟随器电路之输出信号。关于该第二MOS晶体管，栅极耦接至偏压，源极耦接至第一参考电压，以及漏极耦接至该第一MOS晶体管的源极。关于该第三MOS晶体管，其是具有本身栅极耦接至本身漏极的自偏压二极管连接的金属氧化物半导体晶体管。该第三MOS晶体管的漏极耦接至该第一MOS晶体管的漏极，以及该第三MOS晶体管的源极耦接至第二参考电压。
声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。
来源：市场资讯
相关内容
热门资讯
小马智卡取得电路板防护壳结构专...
国家知识产权局信息显示，北京小马智卡科技有限公司取得一项名为“一种电路板的防护壳结构以及电子设备”的...
意法半导体取得控制电路、集成电...
国家知识产权局信息显示，意法半导体股份有限公司取得一项名为“控制电路、集成电路、电子转换器和方法”的...
中山安亚思电子科技取得PWM控...
国家知识产权局信息显示，中山安亚思电子科技有限公司取得一项名为“PWM控制电路及厨房电器”的专利，授...
金禄电子科技申请超厚铜电路板及...
国家知识产权局信息显示，金禄电子科技股份有限公司申请一项名为“超厚铜电路板及其制作方法”的专利，公开...
精模电子科技取得电容笔充电结构...
国家知识产权局信息显示，精模电子科技（深圳）有限公司取得一项名为“一种电容笔的充电结构”的专利，授权...
南通江海电容器取得化成箔制备工...
国家知识产权局信息显示，南通江海电容器股份有限公司取得一项名为“化成箔的制备工艺及其制备的化成箔”的...
晨晶电子取得电容薄膜压力传感器...
国家知识产权局信息显示，北京晨晶电子有限公司取得一项名为“一种电容薄膜压力传感器”的专利，授权公告号...
华为申请开关电容电路专利，降低...
国家知识产权局信息显示，华为技术有限公司申请一项名为“开关电容电路、开关电容电路的驱动方法、电子设备...
股票行情快报：中航光电（002...
证券之星消息，截至2026年3月24日收盘，中航光电(002179)报收于33.05元，上涨1.44...
股票行情快报：联建光电（300...
证券之星消息，截至2026年3月24日收盘，联建光电(300269)报收于8.08元，上涨1.89%...