达发科技申请源极跟随器电路专利，自偏压二极管连接的金属氧化物半导体晶体管_资讯

达发科技申请源极跟随器电路专利，自偏压二极管连接的金属氧化物半导体晶体管

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2026-03-11 19:36:58

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国家知识产权局信息显示，达发科技股份有限公司申请一项名为“源极跟随器电路以及翻转源极跟随器电路”的专利，公开号CN121635602A，申请日期为2024年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种源极跟随器电路，包含第一MOS晶体管、第二MOS晶体管、第三MOS晶体管及反馈回路电路。关于该第一MOS晶体管，栅极用以接收该源极跟随器电路之输入信号，以及源极用以输出该源极跟随器电路之输出信号。关于该第二MOS晶体管，栅极耦接至偏压，源极耦接至第一参考电压，以及漏极耦接至该第一MOS晶体管的源极。关于该第三MOS晶体管，其是具有本身栅极耦接至本身漏极的自偏压二极管连接的金属氧化物半导体晶体管。该第三MOS晶体管的漏极耦接至该第一MOS晶体管的漏极，以及该第三MOS晶体管的源极耦接至第二参考电压。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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