国家知识产权局信息显示,上海华力集成电路制造有限公司申请一项名为“电容结构”的专利,公开号CN121619874A,申请日期为2025年11月。
专利摘要显示,本发明公开了一种电容结构,包括:并联的N型和P型势阱电容。N型势阱电容包括N型势阱,N型栅极结构,N型源漏区,N型势阱引出区。P型势阱电容包括P型势阱,P型栅极结构,P型源漏区,P型势阱引出区。N型和P型栅极结构都连接到第一电容电极。各N型和P型源漏区、N型和P型势阱引出区都连接到第二电容电极。第一和第二电容电极之间的总电容值由N型势阱电容的第一电容值和P型势阱电容的第二电容值叠加而成。N型和P型势阱电容的第一和第二电容电压变化曲线大小互补,以使总电容值随电压稳定变化。本发明能提供随电压稳定变化的电容值,且有利于工艺集成,不需要增加额外的掩模版和离子注入工艺。
天眼查资料显示,上海华力集成电路制造有限公司,成立于2016年,位于上海市,是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本2960000万人民币。通过天眼查大数据分析,上海华力集成电路制造有限公司参与招投标项目2082次,专利信息2765条,此外企业还拥有行政许可399个。
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来源:市场资讯
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