LX半导体申请双沟槽半导体装置及其制造方法专利，半导体装置在第一区域与第二区域之间的基板中不设置阱抽头结构
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2026-03-07 19:48:58
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国家知识产权局信息显示，LX半导体科技有限公司申请一项名为“半导体装置及其制造方法”的专利，公开号CN121620182A，申请日期为2025年8月。
专利摘要显示，本说明书公开了一种包括双沟槽的半导体装置及其制造方法。半导体装置包括在基板上设置有多个第一半导体元件的第一区域、在基板上设置有多个第二半导体元件的第二区域、设置在第一区域与第二区域之间的基板中的隔离区域、形成在第一区域和第二区域的基板中的浅沟槽、形成在浅沟槽中的每一个内的浅沟槽绝缘膜、形成在隔离区域的基板中的深沟槽和形成在深沟槽内的深沟槽绝缘膜，其中在第一区域与第二区域之间的基板中不设置阱抽头结构。
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