铠侠申请半导体存储装置及制造方法专利，将源极线中的杂质活化
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2026-03-07 18:23:16
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国家知识产权局信息显示，铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法”的专利，公开号CN121619867A，申请日期为2025年2月。
专利摘要显示，本发明的目的在于将源极线中的杂质活化。本发明的实施方式涉及一种半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。实施方式的半导体存储装置具备：积层体，将多个第1导电层与多个绝缘层逐层交替积层；柱，包含在积层体的积层方向上在积层体内延伸的半导体层；第1层，配置于积层体的上方，以半导体为主成分；及第2层，配置于第1层的上方，以金属为主成分；且柱贯通第1层，半导体层突出到第2层中。
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来源：市场资讯
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