北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，为异质集成电路的尺寸微缩提供技术解决方案_资讯

北方集成电路技术创新中心申请半导体结构及其形成方法专利，为异质集成电路的尺寸微缩提供技术解决方案

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2026-03-07 14:31:49

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国家知识产权局信息显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其形成方法”的专利，公开号CN121620255A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述半导体结构包括：第一晶圆；第二晶圆，所述第二晶圆的尺寸小于所述第一晶圆的尺寸，所述第二晶圆键合于所述第一晶圆上；填充层，位于所述第一晶圆和第二晶圆上，所述填充层的顶面与所述第二晶圆的顶面平齐。本申请提供一种半导体结构及其形成方法，能够实现异质衬底晶圆集成电路制造向现有主流的12寸平台的转移，为异质集成电路的尺寸微缩提供技术解决方案。

天眼查资料显示，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司，成立于2017年，位于北京市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本20000万人民币。通过天眼查大数据分析，北方集成电路技术创新中心（北京）有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目22次，财产线索方面有商标信息6条，专利信息554条，此外企业还拥有行政许可125个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资尺寸导体集成电路结构专利中心半导体异质晶圆填充层

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