武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利，减小寄生电容_资讯

武汉新芯申请半导体器件及其制造方法专利，减小寄生电容

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2026-03-07 14:31:26

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国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121620189A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述半导体器件包括：SOI衬底，包括自下向上堆叠的下层衬底、绝缘埋层和半导体层；第一通孔结构，填充所述SOI衬底中的第一通孔，所述第一通孔贯穿所述SOI衬底，所述第一通孔结构包括衬垫结构和金属层，所述衬垫结构包括依次堆叠于所述第一通孔侧壁的低介电常数层、应力缓冲层、绝缘层和扩散阻挡层，所述金属层填充所述第一通孔。本发明使得能够减小寄生电容以及提高半导体器件的可靠性。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目223次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1833条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业制造方法显示投资通孔集成电路武汉结构专利器件半导体衬底金属层

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