锐成芯微申请一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器专利，提高所制成的存储器的操作稳定性和可靠性_资讯

锐成芯微申请一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器专利，提高所制成的存储器的操作稳定性和可靠性

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2026-03-07 11:19:23

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国家知识产权局信息显示，成都锐成芯微科技股份有限公司申请一项名为“一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器”的专利，公开号CN121619866A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本发明涉及一种制备非易失性存储器的方法及其制成的非易失性存储器。该方法依次包括如下步骤：在衬底表面上形成有源区和凸出于衬底表面的隔离区，使隔离区自衬底表面凸出的厚度，等于浮栅厚度；在有源区和隔离区上，同时形成一层栅氧层；在栅氧层上沉积一层浮栅材料层；然后，使有源区的栅氧层上沉积的浮栅材料层的厚度，达到浮栅厚度，形成存储器件的浮栅，并除去隔离区的栅氧层上沉积的浮栅材料层；任选刻蚀隔离区上的栅氧层、及其下方的隔离区。本发明的方法简单便捷，而且能提高所制成的存储器的操作稳定性和可靠性，并适用于65nm以下的微缩工艺平台。

天眼查资料显示，成都锐成芯微科技股份有限公司，成立于2011年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5609.2881万人民币。通过天眼查大数据分析，成都锐成芯微科技股份有限公司共对外投资了10家企业，参与招投标项目44次，财产线索方面有商标信息30条，专利信息238条，此外企业还拥有行政许可6个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示投资操作易失性存储器制成的有源专利有源区栅氧层隔离区衬底浮栅

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