安徽大学申请半导体器件及其制造方法专利，有助于提高半导体器件中长沟道的阈值电压_资讯

安徽大学申请半导体器件及其制造方法专利，有助于提高半导体器件中长沟道的阈值电压

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2026-03-07 10:50:26

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国家知识产权局信息显示，安徽大学;合肥晶合集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121619891A，申请日期为2026年2月。

专利摘要显示，本申请涉及一种半导体器件及其制造方法，包括：提供衬底，所述衬底上形成有栅极结构；于所述衬底和所述栅极结构上形成硬掩膜层，所述硬掩膜层覆盖所述栅极结构的侧壁；向所述栅极结构两侧侧壁的硬掩膜层分别以倾斜角度注入大质量离子；去除部分所述硬掩膜层，以形成覆盖所述栅极结构的侧壁的栅极侧墙，所述栅极侧墙的截面宽度沿朝向所述衬底的方向逐渐增大，且所述栅极侧墙的底部形成有凸起部。本申请有效降低了栅极侧墙的密度，抑制了栅极侧墙中氢元素和氮元素向衬底的扩散情况，从而有助于减少甚至避免后续形成晕环注入区和轻掺杂区时硼元素扩散被抑制以及硼元素失活的问题，进而有助于提高半导体器件中长沟道的阈值电压。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

制造方法显示注入栅极市场投资元素中长专利栅极结构器件衬底侧墙

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