泰科天润取得降低体二极管压降的碳化硅MOSFET专利，降低了体二极管的正向压降_资讯

泰科天润取得降低体二极管压降的碳化硅MOSFET专利，降低了体二极管的正向压降

创始人

2026-03-07 10:44:12

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国家知识产权局信息显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司取得一项名为“一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET”的专利，授权公告号CN223978978U，申请日期为2025年3月。

专利摘要显示，本实用新型提供了一种降低体二极管压降的碳化硅MOSFET，包括：外延层下侧面连接至碳化硅衬底上侧面；外延层内设有第一凹槽；P型基区设于第一凹槽内，P型基区内设有第二凹槽；N+源区设于第二凹槽内；P+源区设于第二凹槽内，且P+源区外侧面连接至N+源区内侧面；栅氧层下侧面连接至N+源区、P型基区以及外延层；多晶硅电极层下侧面连接至栅氧层上侧面；第一接触金属层下侧面连接至N+源区；第二接触金属层下侧面连接至P+源区，第二接触金属层连接至第一接触金属层；第一接触金属层的金属功函数小于第二接触金属层的金属功函数；减小导通电阻的基础上，降低了体二极管的正向压降，也降低了MOSFET在电路中应用时的损耗。

天眼查资料显示，泰科天润半导体科技（北京）有限公司，成立于2011年，位于北京市，是一家以从事科技推广和应用服务业为主的企业。企业注册资本27745.22万人民币。通过天眼查大数据分析，泰科天润半导体科技（北京）有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目90次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息335条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业科技投资降低天润金属层导体泰科碳化硅二极管源区凹槽

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