紫光国芯申请一种半导体结构及其制备方法专利，保证半导体结构质量和性能_资讯

紫光国芯申请一种半导体结构及其制备方法专利，保证半导体结构质量和性能

创始人

2026-03-06 11:52:51

0次

国家知识产权局信息显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司申请一项名为“一种半导体结构及其制备方法”的专利，公开号CN121620198A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体结构及其制备方法。半导体结构包括：有源层和位于所述有源层上的多层布线层；所述多层布线层包括叠设的底层布线层和高层布线层，所述底层布线层位于所述高层布线层与所述有源层之间；所述半导体结构的核心线路设置于所述高层布线层；其中，所述核心线路包括传输高频信号的线路和/或跨场长距离线路，所述跨场长距离线路为制备所述布线层时跨越不同曝光场的且长度满足预设要求的线路。通过本申请提供了一种保证半导体结构质量和性能的方案。

天眼查资料显示，西安紫光国芯半导体股份有限公司，成立于2006年，位于西安市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本13632.071万人民币。通过天眼查大数据分析，西安紫光国芯半导体股份有限公司共对外投资了5家企业，参与招投标项目38次，财产线索方面有商标信息57条，专利信息815条，此外企业还拥有行政许可23个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法显示紫光投资质量导体结构专利线路半导体布线层国芯西安

上一篇：中科清能申请提升半导体芯片封装品质的脱泡固化装置专利，兼顾半导体芯片的脱泡效率与固化效果

下一篇：赛昉半导体取得L1缓存加载未命中实现方法及系统专利

紫光国芯申请一种半导体结构及其制备方法专利，保证半导体结构质量和性能

相关内容

热门资讯