国家知识产权局信息显示,铠侠股份有限公司申请一项名为“半导体装置”的专利,公开号CN121604419A,申请日期为2025年2月。
专利摘要显示,本发明的实施方式提供一种半导体存储装置,较好地动作。本发明具备:第1接触电极,连接于实施方式的半导体衬底;第2接触电极,在第1方向上与第1接触电极分开,连接于半导体衬底;电极,设置在第1接触电极及第2接触电极之间,与半导体衬底对向;第1电极部件,和半导体衬底中、与第1接触电极的接触部、及与电极的对向部之间的区域对向;第2电极部件,和半导体衬底中、与第2接触电极的接触部、及与第1电极部件的对向部之间的区域对向;及第3接触电极,连接于电极;且电极包含第1导电型杂质;第1电极部件及第2电极部件具备第1导电型杂质或与第1导电型不同的第2导电型杂质,第1电极部件及第2电极部件中的第1导电型或第2导电型杂质的浓度低于电极中的第1导电型杂质的浓度。
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