武汉英睿红外申请高可靠性PbS量子点薄膜制备方法专利，显著提升光电器件在恶劣条件下的可靠性_资讯

武汉英睿红外申请高可靠性PbS量子点薄膜制备方法专利，显著提升光电器件在恶劣条件下的可靠性

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2026-03-02 16:13:58

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国家知识产权局信息显示，武汉英睿红外科技有限公司申请一项名为“高可靠性的PbS量子点薄膜、其制备方法及光电器件”的专利，公开号CN121571361A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了高可靠性的PbS量子点薄膜、其制备方法及光电器件，该制备方法包括以下步骤：1）获得第一量子点溶液；2）加入中长链胺；3）加入反溶剂；4）获得中长链胺修饰的PbS量子点固体；5）获得第二量子点溶液；6）形成PbS量子点涂层；7）形成硫醇溶液；8）将硫醇溶液涂布于PbS量子点涂层上；9）退火处理；10）形成新的PbS量子点涂层，涂布硫醇溶液；11）退火处理；12）重复步骤10）和步骤11）。本发明通过卤素原子的诱导和协同作用，增强卤代硫醇配体与PbS量子点薄膜表面的结合能力，有效抑制PbS量子点表面缺陷态，显著提升PbS量子点薄膜及光电器件在高温、高湿和长时间光照条件下的可靠性。

天眼查资料显示，武汉英睿红外科技有限公司，成立于2023年，位于武汉市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本518.125万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉英睿红外科技有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目2次，专利信息6条。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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