扬杰科技申请功率二极管相关专利,低寄生电感二极管降成本兼顾性能实用
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2026-07-04 11:44:00
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来源:新浪证券-红岸工作室

7月4日消息,国家知识产权局信息显示,扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种低寄生电感功率二极管及制备方法”的专利。申请公布号为CN122340830A,申请号为CN202610593818.1,申请公布日期为2026年7月3日,申请日期为2026年4月30日,发明人熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅,专利代理机构扬州市苏为知识产权代理事务所(普通合伙),专利代理师郭翔,分类号H10D8/00、H10D8/01、H10W40/22。

专利摘要显示,一种低寄生电感功率二极管及制备方法,涉及半导体技术领域。包括:芯片,背面设有背金属层,正面设有一对阳极电极和位于一对所述阳极电极之间的阴极电极;阳极框架,设有一对,分别与对应所述阳极电极电性连接;所述阳极框架底面从塑封体内露出,作为P极引脚;阴极框架,与所述阴极电极电性连接;所述阴极框架的底面分别从所述塑封体内露出,作为N极引脚。本发明采用框架蚀刻制备凸台的成型方案,相较于芯片端制作金属凸点的工艺,加工难度更低、成品良率更高,可有效控制封装生产成本,兼顾结构性能与量产实用性。

扬杰科技成立于2006年8月2日,于2014年1月23日在深圳证券交易所上市,注册地址和办公地址均位于江苏省扬州市。该公司是国内功率半导体领先企业,专注功率半导体产品,具备全产业链竞争优势。

扬杰科技所属申万行业为电子 - 半导体 - 分立器件,涉及半导体材料、功率半导体、氮化镓等概念板块。公司集研发、生产、销售于一体,专业致力于功率半导体硅片、芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域。

2025年,扬杰科技营业收入达71.3亿元,在18家同行业公司中排名第3,行业第一名*ST闻泰为312.53亿元,第二名士兰微为130.52亿元,行业平均数为39.84亿元,中位数为13亿元。其主营业务中,半导体器件收入62.57亿元,占比87.75%;半导体芯片收入5.34亿元,占比7.49%等。净利润方面,2025年扬杰科技达12.45亿元,在同行业18家公司中排名第1,第二名捷捷微电为4.76亿元,行业平均数为 - 3.38亿元,中位数为5933.85万元。

扬州扬杰电子科技股份有限公司近期专利情况如下:

序号 专利名称 专利类型 法律状态 申请号 申请日期 公开(公告)号 公开(公告)日期 发明人
1 一种低寄生电感功率二极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610593818.1 2026-04-30 CN122340830A 2026-07-03 熊鹏程、徐雅超、周培培、赵振中、陈润生、王毅
2 一种应用于SIC MOS领域的封装框架、封装结构及散热装置 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610412210.4 2026-03-31 CN122138725A 2026-06-02 熊鹏程、徐雅超、杨程、陈润生、王毅
3 一种高功率密度TVS二极管及制备方法 发明专利 公布 CN202610415630.8 2026-03-31 CN122269779A 2026-06-23 熊鹏程、徐雅超、赵振中、陈润生、王毅
4 一种Power DFN框架、封装体及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202610286131.3 2026-03-10 CN121985840A 2026-05-05 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
5 一种三相半控整流桥复合封装及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511981365.1 2025-12-25 CN121604824A 2026-03-03 张帅、姚文康、王双、陈润生、王毅
6 一种应用于车规系统的大功率TVS及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511950595.1 2025-12-23 CN121729076A 2026-03-24 熊鹏程、徐雅超、周德兴、赵振中、朱国伟、陈润生、王毅
7 一种光伏旁路二极管模块加工工艺 发明专利 公布 CN202511930765.X 2025-12-19 CN121693132A 2026-03-17 司天平、景昌忠、陈润生、王毅
8 一种中低压MOS器件掺杂结构的腐蚀溶液及分析方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511911493.9 2025-12-17 CN121699615A 2026-03-20 李跃兵、王双、李长青、刘军、许愿、陈润生、王毅
9 一种分裂栅结构的IGBT器件及制备方法 发明专利 公布 CN202511407480.8 2025-09-29 CN120980899A 2025-11-18 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
10 一种高稳定性沟槽型IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407472.3 2025-09-29 CN121152230A 2025-12-16 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
11 一种降低沟槽底部电场集中的IGBT器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511407464.9 2025-09-29 CN121240474A 2025-12-30 龙宏耀、施俊、裘俊庆、陈润生、王毅
12 一种高功率密度三极管及制备方法 发明专利 发明专利申请公布后的视为撤回、实质审查的生效、公布 CN202511209188.5 2025-08-27 CN120857527A 2025-10-28 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
13 一种高集电极电流三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207926.2 2025-08-27 CN120916450A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
14 一种高EAS能力的三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511208008.1 2025-08-27 CN120916452A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
15 一种高频和高增益三极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207991.5 2025-08-27 CN120916451A 2025-11-07 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
16 一种高电流密度三极管及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511207877.2 2025-08-27 CN121057236A 2025-12-02 代书雨、王双、张敏、陈润生、王毅
17 一种便捷式旁路保护器件的加工方法 发明专利 公布 CN202511154480.1 2025-08-18 CN121017690A 2025-11-28 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
18 光伏旁路器件 实用新型 授权 CN202521754537.7 2025-08-18 CN224459747U 2026-07-03 李广源、梁欣源、陈润生、王毅
19 一种适用于光伏轴向二极管一贯机及其使用方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202511145062.6 2025-08-15 CN121011539A 2025-11-25 徐超、司天平、陈润生、王毅
20 二极管擦字装置 实用新型 授权 CN202521740722.0 2025-08-15 CN224296845U 2026-05-29 徐超、司天平、陈润生、王毅
21 二极管上料装置 实用新型 授权 CN202521740725.4 2025-08-15 CN224449345U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
22 二极管收料装置 实用新型 授权 CN202521740719.9 2025-08-15 CN224449543U 2026-07-03 徐超、司天平、陈润生、王毅
23 一种新型二极管金属线键合塑封一体机 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510879767.4 2025-06-27 CN120690730A 2025-09-23 耿印、王毅
24 一种半导体塑封模具异物检测机构及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510842518.8 2025-06-23 CN120645350A 2025-09-16 刁卫斌、王毅
25 一种二极管外观检测装置及方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510826492.8 2025-06-19 CN120539278A 2025-08-26 耿印、王毅
26 一种抑制塑封分层的半包封框架及封装结构 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510793665.0 2025-06-13 CN120637356A 2025-09-12 代书雨、徐雅超、王玉林、张敏、王毅
27 一种抑制塑封分层的全包封框架及封装 实用新型 授权 CN202521215415.0 2025-06-13 CN224460572U 2026-07-03 代书雨、王玉林、张敏、王毅
28 提升绝缘耐压能力的整流桥堆 实用新型 授权 CN202521114013.1 2025-05-30 CN224205650U 2026-05-05 邱力宸、王毅
29 多引脚散热桥堆 实用新型 授权 CN202521104107.0 2025-05-30 CN224205649U 2026-05-05 姚文康、王双、吕强、王毅
30 一种改进半导体器件饱和压降的制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510613311.3 2025-05-13 CN120417408A 2025-08-01 龚闯、赵晓非、张晓勇、杨成祎、姚旭、王毅
31 单轴划片机释放应力减少崩边崩角的划片方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510148616.1 2025-02-11 CN119704417A 2025-03-28 王鑫、王毅
32 一种FRED半导体器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202510126905.1 2025-01-27 CN119947137A 2025-05-06 崔龙、王毅
33 一种横向IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996035.5 2024-12-31 CN119730275A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
34 一种横向平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996030.2 2024-12-31 CN119730274A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
35 一种横向RC-IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996027.0 2024-12-31 CN119730273A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
36 一种自带续流二极管的平面栅IGBT及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996043.X 2024-12-31 CN119730277A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
37 一种自带续流能力的IGBT及其制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411996042.5 2024-12-31 CN119730276A 2025-03-28 代书雨、王玉林、张敏、王毅
38 自动防卡料管装上料装置 实用新型 授权 CN202423295438.5 2024-12-31 CN223547013U 2025-11-14 李伟贞、殷宪虎、王毅
39 整流桥周转管打塞装置 实用新型 授权 CN202423295423.9 2024-12-31 CN223574783U 2025-11-21 张杰、徐俊、殷宪虎、王毅
40 整流桥平整度检测装置 实用新型 授权 CN202423266959.8 2024-12-30 CN223551060U 2025-11-14 雍鑫、徐俊、王毅
41 框架镜像检测平台 实用新型 授权 CN202423266953.0 2024-12-30 CN223711466U 2025-12-23 沈青青、徐俊、王毅
42 一种增强栅氧可靠性的SiCMOSFET器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411950010.1 2024-12-27 CN119743969A 2025-04-01 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
43 一种减小漏电的SiCSBD二极管及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411955197.4 2024-12-27 CN119789443A 2025-04-08 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
44 具有P型掩蔽层的多晶硅沟槽SiC二极管 实用新型 授权 CN202423253084.8 2024-12-27 CN223652616U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
45 具有L型栅氧结构的SiC MOSFET器件 实用新型 授权 CN202423247744.1 2024-12-27 CN223652617U 2025-12-09 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
46 整流桥防反治具 实用新型 授权 CN202423192234.9 2024-12-24 CN223665429U 2025-12-12 金超、徐俊、王毅
47 一种集成SBD的SiCMOSFET器件及制备方法 发明专利 实质审查的生效、公布 CN202411854926.7 2024-12-17 CN119584574A 2025-03-07 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
48 一种晶圆加工用吸附装置 实用新型 授权 CN202423106298.2 2024-12-17 CN223566605U 2025-11-18 唐红梅、张晓勇、王毅
49 具有高续流能力的SIC MOSFET器件 实用新型 授权 CN202423106302.5 2024-12-17 CN223584622U 2025-11-21 王坤、杨程、王正、万胜堂、马驰远、朱秀梅、王毅
50 一种晶圆加工定位切割装置 实用新型 授权 CN202423106293.X 2024-12-17 CN223589763U 2025-11-25 唐红梅、张晓勇、王毅

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