芯迈半导体申请肖特基二极管及其制备方法专利，实现同时具有低导通电压、低泄漏电流及高极端应力可靠性的碳化硅肖特基势垒二极管_资讯

芯迈半导体申请肖特基二极管及其制备方法专利，实现同时具有低导通电压、低泄漏电流及高极端应力可靠性的碳化硅肖特基势垒二极管

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2026-02-27 11:14:53

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种肖特基二极管及其制备方法”的专利，公开号CN121586263A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，本发明提供一种肖特基二极管及其制备方法，制备方法包括步骤：提供生长有第一导电类型外延层的第一导电类型衬底，形成图形化的第一硬掩膜层，基于第一硬掩膜层形成第二导电类型的第一有源注入区、第二导电类型的第一终端注入区及第二导电类型的第一过渡注入区于外延层的上表层，形成第一侧墙以得到第二硬掩膜层，基于第二硬掩膜层形成第二导电类型的第二有源注入区、第二导电类型的第二终端注入区及第二导电类型的第二过渡注入区于外延层中，形成场氧化层于外延层终端区上，依次形成导电金属层和导电功能层于外延层元胞区上。本发明的肖特基二极管的制备方法能够实现同时具有低导通电压、低泄漏电流及高极端应力可靠性的碳化硅肖特基势垒二极管。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息212条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业注入导电投资泄漏肖特基外延应力专利二极管肖特外延层

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