沉积半导体取得碳化硅长管烧结炉专利，提升烧结质量_资讯

沉积半导体取得碳化硅长管烧结炉专利，提升烧结质量

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2026-02-26 14:20:34

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国家知识产权局信息显示，沉积半导体材料（南通）有限公司取得一项名为“一种碳化硅长管烧结炉”的专利，授权公告号CN223939958U，申请日期为2025年6月。

专利摘要显示，本实用新型提供一种碳化硅长管烧结炉，涉及碳化硅长管加工技术领域，包括：固定底板；所述固定底板的右端开设有两个矩形槽，而固定底板矩形槽上端的四角处分别开设有螺纹槽。通过烧结炉A和烧结炉B会同时对碳化硅长管的内外壁加热，使碳化硅长管内外壁的加热温度均匀，确保整个碳化硅长管在烧结过程中受热均匀，这有助于提升烧结质量，减少内部应力和变形，均匀的加热可以促进材料的均匀致密化，降低孔隙率，提高最终产品的致密度和力学性能，解决了碳化硅长管需要使用烧结炉加工，因此需要对碳化硅长管的内外壁同时进行加热，否则温度不均匀可能导致碳化硅长管在烧结过程中出现裂纹或变形的问题。

天眼查资料显示，沉积半导体材料（南通）有限公司，成立于2023年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1000万人民币。通过天眼查大数据分析，沉积半导体材料（南通）有限公司参与招投标项目5次，专利信息7条，此外企业还拥有行政许可4个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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