芯迈半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，降低器件的总导通电阻_资讯

芯迈半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，降低器件的总导通电阻

创始人

2026-02-24 12:40:40

0次

国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“一种半导体功率器件及其制备方法”的专利，公开号CN121568398A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体功率器件及其制备方法，制备方法至少包括步骤：提供第一导电类型衬底，在衬底上生长第二导电类型外延层，衬底与外延层之间形成有第一导电类型的沟道层，形成第一沟槽，并形成场氧化层于第一沟槽的侧壁上，形成第二沟槽，形成栅氧化层于第二沟槽的内壁上并覆盖场氧化层，形成填充于第二沟槽内的多晶硅层，形成层间介质层于外延层上，形成至少两个第一通孔，形成第二导电类型漏区于外延层的上表层，形成第一金属线路层，形成金属间介质层于层间介质层上，并刻蚀形成第二通孔，形成第二金属线路层。本发明的半导体功率器件的制备方法能够降低共源极双向导通型SGT MOSFET器件CSP封装的工艺难度，降低成本，并进一步降低器件的总导通电阻。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息211条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业功率导电投资沟槽降低器件导体场氧化层专利外延层介质层

上一篇：格科微电子取得存储器及其制备方法专利

下一篇：兆维电子取得面板复判装置专利

芯迈半导体申请半导体功率器件及其制备方法专利，降低器件的总导通电阻

相关内容

热门资讯