上海传芯半导体申请OMOG光掩模制造方法专利，能够最大程度减小钼硅化物层的厚度并最大程度提高吸光率_资讯

上海传芯半导体申请OMOG光掩模制造方法专利，能够最大程度减小钼硅化物层的厚度并最大程度提高吸光率

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2026-02-17 09:15:39

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国家知识产权局信息显示，上海传芯半导体有限公司申请一项名为“OMOG光掩模制造方法”的专利，公开号CN121522952A，申请日期为2025年12月。

专利摘要显示，一种OMOG光掩模制造方法，包括以下步骤：提供透明基板；在透明基板上沉积具有预设厚度的硅层或钼层；对硅层进行图案化的钼聚焦离子束扫描，使Mo离子移动到被扫描的区域内的硅层中，形成图案化的钼硅化物层；或，对钼层进行图案化的硅聚焦离子束扫描，使Si离子移动到被扫描的区域内的钼层中，形成图案化的钼硅化物层；去除未反应的硅层或钼层，形成OMOG光掩模。本发明能够最大程度减小钼硅化物层的厚度并最大程度提高吸光率，能够满足OMOG光掩模的发展需求，且利于节约制造成本。

天眼查资料显示，上海传芯半导体有限公司，成立于2020年，位于上海市，是一家以从事批发业为主的企业。企业注册资本9376.6144万人民币。通过天眼查大数据分析，上海传芯半导体有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目6次，财产线索方面有商标信息14条，专利信息123条，此外企业还拥有行政许可17个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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