砺芯半导体申请抑制串扰的冲击负电荷驱动电路专利，通过电荷中和的物理方式实现高效串扰抑制_资讯

砺芯半导体申请抑制串扰的冲击负电荷驱动电路专利，通过电荷中和的物理方式实现高效串扰抑制

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2026-02-16 17:44:04

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国家知识产权局信息显示，深圳砺芯半导体有限责任公司申请一项名为“抑制串扰的冲击负电荷驱动电路及开关电源变换器”的专利，公开号CN121530144A，申请日期为2026年1月。

专利摘要显示，本申请涉及半导体技术领域，本申请实施例提供一种抑制串扰的冲击负电荷驱动电路及开关电源变换器，包括：驱动模块和冲击负电荷模块；驱动模块的第一端接收输入信号，驱动模块的第二端连接碳化硅MOSFET的栅极节点，用于根据输入信号控制碳化硅MOSFET的导通与关断；冲击负电荷模块的第一端接收输入信号，冲击负电荷模块的第二端连接电源端，冲击负电荷模块的第三端连接地端，冲击负电荷模块的第四端连接碳化硅MOSFET的栅极节点，用于在碳化硅MOSFET的关断过程中，当碳化硅MOSFET的漏极电压上升导致米勒电流向栅极节点倒灌时，向栅极节点释放负电荷，以中和米勒电流。通过电荷中和的物理方式实现了高效的串扰抑制，无需依赖持续负压电源，简化了系统架构并降低了成本。

天眼查资料显示，深圳砺芯半导体有限责任公司，成立于2018年，位于深圳市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本1128.288232万人民币。通过天眼查大数据分析，深圳砺芯半导体有限责任公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目8次，财产线索方面有商标信息50条，专利信息43条，此外企业还拥有行政许可12个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业负电荷投资物理电路驱动的冲击砺芯碳化硅专利米勒栅极模块

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