南亚科技申请形成半导体结构的方法专利，在导电层中形成沟槽
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2026-02-16 09:13:13
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国家知识产权局信息显示，南亚科技股份有限公司申请一项名为“形成半导体结构的方法”的专利，公开号CN121531989A，申请日期为2025年11月。
专利摘要显示，本发明提供了一种形成半导体结构的方法，包括提供基板，依序在基板上形成导电层、氮化层、第一碳层、硅层、介电层和遮罩层；图案化介电层和遮罩层以形成核心特征；在核心特征和硅层暴露的部分上共形形成氧化层；涂布第二碳层过填充氧化层；移除经图案化的遮罩层上的第二碳层的部分和氧化层的横向部分；移除经图案化的遮罩层和氧化层的垂直部分，以在硅层上形成交替排列的介电特征和间隔物特征；以及蚀刻导电层以在导电层中形成沟槽，使基板暴露。此方法提供对氧化层具有高蚀刻选择性的第二碳层，使得在蚀刻工艺之后，碳层具有足够的高度作为遮罩以移除下方的层，从而在导电层中形成沟槽。
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