长鑫科技申请半导体结构制作方法专利，得到具有较高可靠性的半导体器件_资讯

长鑫科技申请半导体结构制作方法专利，得到具有较高可靠性的半导体器件

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2026-02-14 17:12:23

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国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“半导体结构的制作方法以及半导体结构”的专利，公开号CN121510571A，申请日期为2024年8月。

专利摘要显示，一种半导体结构的制作方法以及半导体结构，该半导体结构的制作方法包括：提供衬底；于所述衬底上形成由多个半导体材料层和多个绝缘材料层交替堆叠的叠层结构；执行侧蚀，去除部分所述多个半导体材料层，以在保留下来的所述多个绝缘材料层之间形成间隙；采用原子层沉积法形成金属化合物材料层，所述金属化合物材料层至少覆盖所述多个半导体材料层与所述多个绝缘材料层被所述间隙暴露出的表面；执行退火，以使所述多个半导体材料层与所述金属化合物材料层接触的区域形成金属半导体接触层。通过上述方法可以得到具有较高可靠性的半导体器件。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标信息234条，专利信息650条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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