三星申请半导体封装件和制造方法专利,提升散热性能
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2026-02-13 20:48:10
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国家知识产权局信息显示,三星半导体(中国)研究开发有限公司;三星电子株式会社申请一项名为“半导体封装件和制造半导体封装件的方法”的专利,公开号CN121510956A,申请日期为2025年11月。

专利摘要显示,提供了半导体封装件和制造半导体封装件的方法。所述半导体封装件包括:基底;半导体芯片,在基底上;热界面层,设置在半导体芯片上;多层金属结构,设置在热界面层上。多层金属结构包括第一部分和两个第二部分,第一部分在第一方向上与半导体芯片叠置,并且所述两个第二部分在与第一方向不同的方向上从第一部分延伸。

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来源:市场资讯

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