通富通科申请芯片结构制备方法专利，提高芯片结构可靠性_资讯

通富通科申请芯片结构制备方法专利，提高芯片结构可靠性

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2026-02-13 20:45:30

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国家知识产权局信息显示，通富通科（南通）微电子有限公司申请一项名为“芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法”的专利，公开号CN121510990A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种芯片结构及其制备方法、芯片封装结构及其封装方法，其中，芯片结构制备方法包括：提供芯片本体；分别在芯片本体功能面的功能区域和非功能区域形成阵列排布的多个功能凸块和多个支撑凸块；其中，沿第一方向上，相邻两个支撑凸块之间的间距小于相邻两个功能凸块之间的间距，通过减小相邻两个支撑凸块在第一方向的间距，在芯片本体与基板的热压焊接中，能够利用流体力学中的收缩效应引导熔融状态的支撑凸块沿第一方向流动，使得外溢的支撑凸块焊料不会朝向功能凸块方向流动，可以避免溢流的支撑凸块与功能凸块之间发生桥接，提高芯片结构的可靠性。

天眼查资料显示，通富通科（南通）微电子有限公司，成立于2021年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本80000万人民币。通过天眼查大数据分析，通富通科（南通）微电子有限公司参与招投标项目56次，专利信息16条，此外企业还拥有行政许可35个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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