2月12日（周四），韩国基准股指KOSPI指数再度刷新历史纪录，存储芯片巨头三星电子与SK海力士双双大幅走高，成为拉动指数上行的核心力量。

多重利好消息集中释放，为韩国"芯片双雄"注入强劲动能。韩国海关周三公布的数据显示，2月前10天韩国半导体出口额达到67.3亿美元，同比飙涨137.6%。同日，三星电子首席技术官Song Jai-hyuk表示，内存强劲需求料将持续到2027年，并强调三星HBM4芯片显示出"良好的"制造良率，客户对其性能表示非常满意。此前一天，SK集团会长崔泰源在美国与英伟达首席执行官黄仁勋会面，双方就高带宽内存（HBM）供应以及更广泛的人工智能业务合作事宜进行了商讨。

韩国存储芯片股的强势表现，与隔夜美股存储板块的集体走强形成联动。半导体行业研究机构SemiAnalysis此前发布报告预计，英伟达Vera Rubin首年量产将主要采用韩国公司的HBM4产品。美光首席财务官Mark Murphy周三在一场会议上澄清称，其HBM4已进入量产，整体进度好于此前预期，并已开始向客户供货。

围绕存储芯片的供需格局，多家国际投行近期密集上调相关标的目标价。摩根士丹利研报将美光科技目标价从350美元上调至450美元，维持"增持"评级，并预计2026年每股收益将达52美元。摩根士丹利指出："今年DDR5价格大幅上涨，现货价格较1月合约价格高出约130%。由于2026年供应增长仍将受到限制，主流DRAM价格将进一步上涨。"德意志银行亦将美光目标价从300美元上调至500美元。德银分析师Melissa Weathers在研报中称："与传统DRAM相比，HBM的'硅密集度'大约高出三倍，这意味着它需要更多用于切割芯片的晶圆。这种高密集度正引发一场我们认为尚未被充分理解的供应冲击。"她同时指出，新的DRAM晶圆厂至少需要两年时间才能投产，现有工厂扩张能力有限，DRAM供应紧张局面预计将持续至2027年乃至2028年。

今年以来，KOSPI指数已累计上涨近30%，AI驱动的半导体超级周期是其背后的关键推动力之一。

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