真芯半导体取得硬掩模图案制造方法专利
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2026-02-11 12:14:07
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国家知识产权局信息显示，真芯（北京）半导体有限责任公司取得一项名为“一种硬掩模图案的制造方法和DRAM电容的制造方法”的专利，授权公告号CN114093754B，申请日期为2020年8月。
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来源：市场资讯
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