中微晶园申请可降低串扰的黑硅光电四象限结构专利，解决像素间存在串扰的问题_资讯

中微晶园申请可降低串扰的黑硅光电四象限结构专利，解决像素间存在串扰的问题

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2026-02-07 20:12:05

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国家知识产权局信息显示，无锡中微晶园电子有限公司申请一项名为“一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法”的专利，公开号CN121487391A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明属于功率半导体工艺技术领域，特别涉及一种可降低串扰的黑硅光电四象限结构及制备方法。包括N‑低掺杂体硅区；N+正面高浓度掺杂区，对称布设于所述N‑低掺杂体硅区的正面两侧；P型掺杂区，靠近每侧所述N+正面高浓度掺杂区的内侧布设；N+背面高浓度掺杂区，布设于所述N‑低掺杂体硅区的背面；黑硅区域，均匀形成于四象限内的所述N+背面高浓度掺杂区内，以形成陷光结构；串扰隔阻区，形成于四象限内相邻的黑硅区域之间；钝化层和背面金属膜层，由内至外依次填充于所述黑硅区域和所述串扰隔阻区上；正面金属电极。本发明解决了目前常规硅光电四象限探测器近红外波段响应差，像素间存在串扰的问题。

天眼查资料显示，无锡中微晶园电子有限公司，成立于2004年，位于无锡市，是一家以从事其他制造业为主的企业。企业注册资本1196万人民币。通过天眼查大数据分析，无锡中微晶园电子有限公司共对外投资了1家企业，参与招投标项目45次，财产线索方面有商标信息1条，专利信息106条，此外企业还拥有行政许可9个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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