武汉新芯申请半导体器件及图像传感器专利，减少沟槽电容器所占用的面积_资讯

武汉新芯申请半导体器件及图像传感器专利，减少沟槽电容器所占用的面积

创始人

2026-02-07 20:12:05

0次

国家知识产权局信息显示，武汉新芯集成电路股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法”的专利，公开号CN121487269A，申请日期为2025年11月。

专利摘要显示，本发明提供一种半导体器件及其制造方法、图像传感器及其制造方法，半导体器件包括：基底，基底中形成有导电层、绝缘层和沟槽；沟槽电容器，包括第一电极板、第一介质层、第二电极板、第二介质层和第三电极板，第一电极板从沟槽的侧壁延伸至沟槽外围的基底上；第二电极板形成在第一电极板上，且第二电极板贯穿绝缘层，以与导电层电连接；第三电极板形成在第二电极板上，且第三电极板与第一电极板电连接；第一电极板通过第一介质层与第二电极板绝缘，第二电极板通过第二介质层与第三电极板绝缘。本发明的技术方案使得沟槽电容器具有高电容值，还能减少沟槽电容器所占用的面积。

天眼查资料显示，武汉新芯集成电路股份有限公司，成立于2006年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本847900.6412万人民币。通过天眼查大数据分析，武汉新芯集成电路股份有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目225次，财产线索方面有商标信息67条，专利信息1824条，此外企业还拥有行政许可106个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业电极投资沟槽电容器图像传感器绝缘层武汉专利极板电极板介质层

上一篇：无锡精科电子申请扎带定位捆扎设备专利，提高扎带对线路的固定效果

下一篇：中微晶园申请可降低串扰的黑硅光电四象限结构专利，解决像素间存在串扰的问题

武汉新芯申请半导体器件及图像传感器专利，减少沟槽电容器所占用的面积

相关内容

热门资讯