美光科技申请交叉点存储器结构的构造方法专利，避免损坏竖直延伸导电材料
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2026-02-06 13:44:22
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国家知识产权局信息显示，美光科技公司申请一项名为“交叉点存储器结构的构造方法”的专利，公开号CN121463460A，申请日期为2025年7月。
专利摘要显示，本申请案涉及交叉点存储器结构的构造方法。提出例如三维交叉点存储器装置的存储器装置及制造此类装置的方法。用于制造此类存储器装置的一些已知方法依赖牺牲材料，其在处理期间至少部分挖出以完成存储器装置。用于移除此类牺牲材料的蚀刻化学品可能存在移除或损坏材料或结构有损于过程的风险。避免损坏竖直延伸导电材料的实例方法在导电结构上方使用保护塞以在挖出其它结构时隔离导电结构。
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来源：市场资讯
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