芯迈半导体申请半导体器件及其制造方法专利，提高器件耐压能力_资讯

芯迈半导体申请半导体器件及其制造方法专利，提高器件耐压能力

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2026-02-05 00:11:31

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国家知识产权局信息显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司申请一项名为“半导体器件及其制造方法”的专利，公开号CN121463500A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明公开了一种半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括衬底；外延层，位于所述衬底上；第一掺杂区和第二掺杂区，第一掺杂区和第二掺杂区设置于外延层中；其中，第二掺杂区位于第一掺杂区外围，第二掺杂区内设置有多个间隔分布的子掺杂区，子掺杂区的掺杂类型与第二掺杂区相反，第二掺杂区和多个子掺杂区形成半导体器件的终端结构，多个子掺杂区的上表面均低于第二掺杂区的上表面，多个子掺杂区沿远离第一掺杂区的第一方向依次排布，相邻子掺杂区之间的间距呈梯度变化。通过在第二掺杂区中设置多个子掺杂区，形成新的终端结构，以提高器件耐压能力，优化工艺容差、提升产品一致性和稳定性。

天眼查资料显示，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司，成立于2019年，位于杭州市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本5000万人民币。通过天眼查大数据分析，芯迈半导体技术（杭州）股份有限公司共对外投资了7家企业，参与招投标项目2次，财产线索方面有商标信息20条，专利信息210条，此外企业还拥有行政许可8个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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