爱思开海力士申请存储器设备和制造方法专利，分离图案将多个选择线接触部彼此分离
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2026-02-04 21:42:55
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国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“存储器设备和制造该存储器设备的方法”的专利，公开号CN121463441A，申请日期为2025年3月。
专利摘要显示，本文提供一种存储器设备和制造该存储器设备的方法。该存储器设备包括：堆叠结构，其包括在单元阵列区域和接触区域中交替堆叠的多个导电层和多个层间绝缘层；多个单元插塞，其形成在单元阵列区域中的堆叠结构内；多个选择线接触部，其耦合到多个导电层当中的被分配作为选择线的导电层；以及分离图案，其穿透单元阵列区域中的被分配作为漏极选择线的导电层，分离图案从单元阵列区域延伸到接触区域。分离图案将多个选择线接触部彼此分离。
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来源：市场资讯
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