京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，提升发光二极管的结构稳定性和电学性能_资讯

京东方华灿光电申请发光二极管及发光二极管制备方法专利，提升发光二极管的结构稳定性和电学性能

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2026-02-04 21:42:58

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国家知识产权局信息显示，京东方华灿光电（广东）有限公司申请一项名为“发光二极管及发光二极管制备方法”的专利，公开号CN121463612A，申请日期为2025年9月。

专利摘要显示，本公开提供了一种发光二极管及发光二极管制备方法。发光二极管包括：外延结构、第一电极结构、第二电极结构和绝缘结构；所述外延结构包括依次层叠的第一半导体层、有源层和第二半导体层，在所述外延结构的一侧具有从所述第二半导体层延伸到所述第一半导体层的斜面；所述绝缘结构覆盖所述第二半导体层的表面，以及所述绝缘结构覆盖所述第二半导体层的斜面和所述有源层的斜面；所述第一电极结构位于所述绝缘结构上且与所述第一半导体层的斜面连接，所述第二电极结构位于所述绝缘结构上且穿过所述绝缘结构与所述第二半导体层连接。

天眼查资料显示，京东方华灿光电（广东）有限公司，成立于2022年，位于珠海市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本186000万人民币。通过天眼查大数据分析，京东方华灿光电（广东）有限公司参与招投标项目30次，专利信息61条，此外企业还拥有行政许可111个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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