四方光电申请SnO2基气敏材料及其制备方法专利，实现对多种气体的高灵敏度检测_资讯

四方光电申请SnO2基气敏材料及其制备方法专利，实现对多种气体的高灵敏度检测

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2026-02-02 14:41:58

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国家知识产权局信息显示，四方光电股份有限公司申请一项名为“一种SnO2基气敏材料及其制备方法和应用”的专利，公开号CN121426162A，申请日期为2024年7月。

专利摘要显示，本申请涉及气敏材料制备技术领域。本申请公开了一种SnO2基气敏材料及其制备方法和应用。该SnO2基气敏材料包括SnO2纳米颗粒和掺杂在SnO2纳米颗粒中的金属氧化物，金属氧化物包括Fe2O3、Co3O4、NiO、CuO、ZnO、In2O3、WO3、MoO3、V2O5、Cr2O3、La2O3、CeO2、Y2O3、ZrO2、Nb2O5、Ta2O5、TiO2、Al2O3、SiO2、MgO、CaO、SrO、BaO中的至少一种。本申请的SnO2基气敏材料具有较高的比表面积和丰富的活性位点，能够实现对多种气体的高灵敏度检测。

天眼查资料显示，四方光电股份有限公司，成立于2003年，位于武汉市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本10010万人民币。通过天眼查大数据分析，四方光电股份有限公司共对外投资了9家企业，参与招投标项目65次，财产线索方面有商标信息22条，专利信息226条，此外企业还拥有行政许可37个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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