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通富微电子申请一种CIS芯片封装方法专利，降低工艺难度与成本

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2026-01-31 23:13:11

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国家知识产权局信息显示，通富微电子股份有限公司申请一项名为“一种CIS芯片封装方法”的专利，公开号CN121442800A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本公开实施例提供一种CIS芯片封装结构，在透光基板的表面设置多个凹槽，将感光芯片的正面朝下固定于凹槽内，降低封装结构的整体厚度；在凹槽的内壁以及透光基板的表面设置有遮光层，确保全域避光完整性；直接在遮光层上设置导电金属层，无需设置硅通孔，降低工艺难度与成本；通过在凹槽内设置包裹感光芯片的透光介电层，实现感光芯片的密封，无需额外设置围堰，消除溢胶污染芯片感光区的风险；透光介电层和透光基板代替现有技术的厚玻璃，缩短光学路径，抑制界面反射以削弱眩光，优化成像质量。

天眼查资料显示，通富微电子股份有限公司，成立于1994年，位于南通市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本151759.6912万人民币。通过天眼查大数据分析，通富微电子股份有限公司共对外投资了20家企业，参与招投标项目67次，财产线索方面有商标信息16条，专利信息993条，此外企业还拥有行政许可55个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业方法投资通富降低感光芯片微电子工艺专利电层凹槽基板遮光层

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