中欣晶圆申请使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法专利，为原位监测提供信号源_资讯

中欣晶圆申请使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法专利，为原位监测提供信号源

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2026-01-31 16:44:00

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国家知识产权局信息显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司申请一项名为“一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液及研磨方法”的专利，公开号CN121427493A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本发明涉及硅片加工技术领域，具体涉及一种使用平板氧化铝进行半导体级硅片磨片的研磨液，由以下成分组成：功能化平板氧化铝磨料 25-30wt%、响应型嵌段共聚物分散剂4-10wt%以及介电微球承载液；所述功能化平板氧化铝磨料表面通过官能化修饰，键合有荧光示踪分子或磁性纳米核，为原位监测提供信号源；响应型嵌段共聚物具有温敏或pH响应链段，介电微球承载液含高介电常数陶瓷微球0.01-0.5 wt%，余量为去离子水。

天眼查资料显示，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司，成立于2017年，位于杭州市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本503225.6776万人民币。通过天眼查大数据分析，杭州中欣晶圆半导体股份有限公司共对外投资了6家企业，参与招投标项目42次，财产线索方面有商标信息5条，专利信息402条，此外企业还拥有行政许可22个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

企业进行投资原位平板 wt% 导体硅片氧化铝专利磨片欣晶研磨液

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