高云半导体申请双端口RAM运算电路及数据冲突处理方法专利，解决读写冲突问题_资讯

高云半导体申请双端口RAM运算电路及数据冲突处理方法专利，解决读写冲突问题

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2026-01-31 16:43:42

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国家知识产权局信息显示，成都高云半导体科技有限公司申请一项名为“双端口RAM的运算电路及数据冲突处理方法”的专利，公开号CN121438886A，申请日期为2025年10月。

专利摘要显示，本申请提供一种双端口RAM的运算电路及数据冲突处理方法，包括：地址比对模块、异步写入判断模块、读写冲突判断模块以及数据选择模块；地址比对模块根据第一端口的读地址和第二端口的写地址，确定第一端口与第二端口是否访问同一地址，得到并输出第一结果信号；异步写入判断模块根据第一输入信号以及第二输入信号，确定第一端口是否需要读取第二端口的写入值以及第二端口是否为真实写状态，得到并输出第二结果信号以及第三结果信号；读写冲突判断模块根据第一结果信号、第二结果信号以及第三结果信号，检测第一端口与第二端口是否存在读写冲突，得到第四结果信号；数据选择模块根据第四结果信号确定第一端口的目标输出值。解决读写冲突问题。

天眼查资料显示，成都高云半导体科技有限公司，成立于2025年，位于成都市，是一家以从事软件和信息技术服务业为主的企业。企业注册资本4000万人民币。通过天眼查大数据分析，成都高云半导体科技有限公司专利信息2条，此外企业还拥有行政许可1个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。

来源：市场资讯

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